سیمی کنڈکٹر لیزرز 1962 میں ایجاد ہوئے اور 1970 میں ڈبل ہیٹرسٹرکچر کے ساتھ مسلسل لہروں کے آپریشن کو حاصل کیا، جو آپٹیکل مواصلات کے لیے روشنی کا بنیادی ذریعہ بن گیا۔ InGaAsP/InP سسٹم 1300/1550 nm کم نقصان والے کمیونیکیشن بینڈ کو سپورٹ کرتا ہے، اور MOCVD مین اسٹریم فیبریکیشن ٹیکنالوجی بن گیا ہے۔
ایک سیمی کنڈکٹر لیزرایک گین میڈیم اور فیبری-پیروٹ ریزونیٹر پر مشتمل ہے۔ آبادی کے الٹ جانے کا احساس کیریئر انجیکشن سے ہوتا ہے، اور لیزر محرک اخراج سے پیدا ہوتا ہے۔ طول بلد موڈ میں وقفہ کاری کا تعین گہا کی لمبائی سے کیا جاتا ہے، اور موڈ لاکنگ کے لیے متعدد طول بلد طریقوں کی فیز سنکرونائزیشن کی ضرورت ہوتی ہے۔
وسیع ایریا لیزر کی اسکیمیٹک
InGaAsP/InP میٹریل سسٹم کا استعمال کرتے ہوئے کئی لیزر ڈیزائن۔
InGaAsP/InP میٹریل سسٹم کمیونیکیشن بینڈ کے لیے اپنایا گیا ہے، جو 1300–1600 nm پر محیط ہے۔ MOCVD epitaxial ترقی اعلی صحت سے متعلق جالی ملاپ کو حاصل کرتی ہے، جو تجارتی لیزرز کے لیے بنیادی من گھڑت اسکیم ہے۔
تھریشولڈ کرنٹ درجہ حرارت کے ساتھ تیزی سے بڑھتا ہے، اور خصوصیت کا درجہ حرارت T₀ درجہ حرارت کے استحکام کو ظاہر کرتا ہے۔ تیز رفتار ماڈیولیشن کم گنجائش اور مضبوط انڈیکس گائیڈڈ ڈھانچے پر انحصار کرتی ہے۔
سیمی کنڈکٹر لیزرز چھوٹے سائز اور اعلی وشوسنییتا کی خصوصیت رکھتے ہیں، جو آپٹیکل کمیونیکیشن، پمپ کے ذرائع، پرنٹنگ اور سینسنگ کے لیے بنیادی روشنی کے منبع کے طور پر کام کرتے ہیں، الٹرا فاسٹ موڈ لاکڈ سسٹمز کے چھوٹے بنانے اور انضمام کی حمایت کرتے ہیں۔
